नैनोक्रिस्टलाइन कोर/चुंबकीय कोर/ट्रांसफॉर्मर कोर
- अत्याधुनिक नैनोक्रिस्टलाइन संरचना : पारंपरिक सामग्री की तुलना में असाधारण चुंबकीय पारगम्यता और अत्यंत कम कोर नुकसान प्रदान करने वाली अति-सूक्ष्म क्रिस्टलीय डिज़ाइन।
- व्यापक आवृत्ति अनुकूलता : कम-से-मध्यम आवृत्तियों में अनुकूलित प्रदर्शन, उच्च दक्षता वाले ट्रांसफार्मर, कॉमन मोड चोक और EMI दमन उपकरणों के लिए आदर्श।
- कॉम्पैक्ट और तापीय रूप से स्थिर : स्थान बचाने वाला आकार, जो उत्कृष्ट तापमान स्थिरता के साथ जुड़ा हुआ है, स्थान-सीमित, उच्च-विश्वसनीयता वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श।
- विविध अनुप्रयोग क्षेत्र : स्विच-मोड पावर सप्लाई, करंट ट्रांसफार्मर और उच्च-प्रदर्शन इंडक्टर के लिए उत्तम विकल्प, दक्षता और लागत-प्रभावशीलता के बीच संतुलन बनाए रखता है।
- प्रीमियम चुंबकीय प्रदर्शन आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए लगातार बिजली रूपांतरण सुनिश्चित करते हुए पारंपरिक सिलिकॉन स्टील कोर की तुलना में बेहतर प्रदर्शन।
- सारांश
- अनुशंसित उत्पाद
हमारे प्रीमियम नैनोक्रिस्टलाइन कोर चुंबकीय कोर तकनीक में अग्रणी हैं, आधुनिक ट्रांसफार्मर और इंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करते हैं। इन कोर में अत्यंत सूक्ष्म क्रिस्टलीय संरचना होती है जो पारंपरिक सामग्री की तुलना में असाधारण चुंबकीय पारगम्यता और काफी कम कोर नुकसान प्रदान करती है। निम्न से लेकर मध्यम आवृत्ति तक की उत्कृष्ट आवृत्ति विशेषताओं के साथ, ये कोर उच्च दक्षता वाली बिजली के लिए आदर्श हैं ट्रांसफार्मर , कॉमन मोड चोक और ईएमआई दमन उपकरण। इनके संकुचित आकार और उत्कृष्ट तापमान स्थिरता उन्हें ऐसे अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है जहाँ स्थान सीमित है और निरंतर प्रदर्शन महत्वपूर्ण है। चाहे आप स्विच-मोड पावर सप्लाई, धारा ट्रांसफार्मर या उच्च-प्रदर्शन प्रेरकों की डिजाइन कर रहे हों, हमारे नैनोक्रिस्टलाइन कोर दक्षता, विश्वसनीयता और लागत प्रभावशीलता का आदर्श संतुलन प्रदान करते हैं।








सामग्री |
उच्च गुणवत्ता वाला CRGO स्टील कम आयरन-हानि के साथ और उच्च निकासी क्षमता |
विशेषताएं |
कम कोर हानि, नहीं
लीकेज चुंबकीय फ्लक्स,
उत्कृष्ट DC बायस
विशेषताएँ, उच्च
चुंबकीय पारगम्यता
250 से 1200 तक की रेंज।
|
अनुप्रयोग |
50Hz और 400Hz ट्रांसफॉर्मर। करंट ट्रांसफॉर्मर। चोक और अन्य चुंबकीय
घटक
इलेक्ट्रॉनिक उपकरण।
|
विनिर्माण प्रक्रिया





मॉडल |
कोर आकार (एमएम) |
तैयार आकार (एमएम) |
क्रॉस क्षेत्र (सेमी) 2) |
औसत मार्ग लंबाई (सेमी) |
वन-टर्न लूप इंडिपेंडेंस AL(μH) 1Khz,0.25V |
||||||||
ओडी |
ID |
एच |
ओडी |
ID |
एच |
AE |
LM |
AL(न्यूनतम) |
|||||
EK0603 |
6.0 |
3.0 |
3.2 |
6.5 |
2.5 |
3.8 |
0.037 |
1.41 |
13.0 |
||||
EK0903 |
9.0 |
5.0 |
3.2 |
9.5 |
4.5 |
3.8 |
0.050 |
2.20 |
11.5 |
||||
EK1003 |
10.0 |
7.0 |
3.2 |
10.5 |
6.5 |
3.8 |
0.037 |
2.67 |
7.0 |
||||
EK1210 |
12.0 |
8.7 |
10.0 |
12.6 |
8.1 |
10.6 |
0.129 |
3.25 |
20.0 |
||||
EK1405 |
14.0 |
9.0 |
4.5 |
14.5 |
8.5 |
5.1 |
0.088 |
3.61 |
12.0 |
||||
EK2108 |
21.3 |
13.5 |
8.0 |
22.1 |
12.8 |
9.0 |
0.243 |
5.46 |
22.0 |
||||
EK4304 |
43.0 |
35.0 |
4.0 |
43.6 |
34.4 |
4.6 |
0.125 |
12.25 |
5.0 |
||||
टोरॉइडल कोर की दो श्रृंखला
B श्रृंखला कोर आमतौर पर EI और अन्य टोरॉइडल ट्रांसफॉर्मर के स्थान पर कम चुंबकीय नुकसान की आवश्यकता वाले रूप में उपयोग किया जाता है।
सामग्री की मोटाई: 0.30 मिमी, 0.27 मिमी, 0.23 मिमी
M3-0.23मिमी
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टोरॉइडल कोर कस्टम फॉर्म |
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OD (मिमी) |
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आंतरिक व्यास (मिमी) |
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H (मिमी) |
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निर्दिष्ट सामग्री |
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प्रदर्शन आवश्यकता |
||
अन्य आवश्यकता |
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